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参数资料
| 型号： | WPS128K8B-20EJM |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 128K X 8 STANDARD SRAM, 20 ns, PDSO32 |
| 封装： | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | WPS128K8B-20EJM |
3
White Electronic Designs Corporation Phoenix, AZ (602) 437-1520
WPS128K8-XEJX
AC CHARACTERISTICS
(VCC = 5.0V, VSS = 0V, TA = -55
°C to +125°C)
AC CHARACTERISTICS
(VCC = 5.0V, VSS = 0V, TA = -55
°C to +125°C)
I
Current Source
D.U.T.
C
= 50 pf
eff
I
OL
V
≈ 1.5V
(Bipolar Supply)
Z
Current Source
OH
NOTES:
VZ is programmable from -2V to +7V.
IOL & IOH programmable from 0 to 16mA.
Tester Impedance Z0 = 75
.
VZ is typically the midpoint of VOH and VOL.
IOL & IOH are adjusted to simulate a typical resistive load circuit.
ATE tester includes jig capacitance.
AC TEST CIRCUIT
AC TEST CONDITIONS
Parameter
Typ
Unit
Input Pulse Levels
VIL = 0, VIH = 3.0
V
Input Rise and Fall
5
ns
Input and Output Reference Level
1.5
V
Output Timing Reference Level
1.5
V
Parameter
Symbol
-17*
-20
Units
Read Cycle
Min
Max
Min
Max
Read Cycle Time
tRC
17
20
ns
Address Access Time
tAA
17
20
ns
Output Hold from Address Change
tOH
00
ns
Chip Select Access Time
tACS
17
20
ns
Output Enable to Output Valid
tOE
910
ns
Chip Select to Output in Low Z
tCLZ1
33
ns
Output Enable to Output in Low Z
tOLZ1
00
ns
Chip Disable to Output in High Z
tCHZ1
10
12
ns
Output Disable to Output in High Z
tOHZ1
89
ns
1.This parameter is guaranteed by design but not tested.
* Industrial temp only.
Parameter
Symbol
-17*
-20
Units
Write Cycle
Min
Max
Min
Max
Write Cycle Time
tWC
17
20
ns
Chip Select to End of Write
tCW
14
17
ns
Address Valid to End of Write
tAW
14
17
ns
Data Valid to End of Write
tDW
11
12
ns
Write Pulse Width
tWP
13
15
ns
Address Setup Time
tAS
00
ns
Address Hold Time
tAH
22
ns
Output Active from End of Write
tOW1
00
ns
Write Enable to Output in High Z
tWHZ1
910
ns
Data Hold Time
tDH
00
ns
1.This parameter is guaranteed by design but not tested.
* Industrial temp only.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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