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参数资料
| 型号： | WS128K48V-20G4WX |
| 英文描述： | 128Kx48 3.3V SRAM Module(128Kx48,3.3V,静态RAM模块（存取时间20ns）) |
| 中文描述： | 128Kx48 3.3静态存储器模块（128Kx48，3.3伏，静态内存模块（存取时间为20ns）） |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 151K |
| 代理商： | WS128K48V-20G4WX |
White Microelectronics Phoenix, AZ (602) 437-1520
3
WS128K48V-XG4WX
Parameter
Symbol
-15
-17
-20
-25
Units
Read Cycle
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Read Cycle Time
t
RC
15
17
20
25
ns
Address Access Time
t
AA
15
17
20
25
ns
Output Hold from Address Change
t
OH
0
0
0
0
ns
Chip Select Access Time
t
ACS
15
17
20
25
ns
Output Enable to Output Valid
t
OE
10
10
12
15
ns
Chip Select to Output in Low Z
t
CLZ
1
3
3
3
3
ns
Output Enable to Output in Low Z
t
OLZ
1
0
0
0
0
ns
Chip Disable to Output in High Z
t
CHZ
1
10
10
12
12
ns
Output Disable to Output in High Z
t
OHZ
1
10
10
12
12
ns
1. This parameter is guaranteed by design but not tested.
AC CHARACTERISTICS
(V
CC
= 3.3V
±
0.3V, T
A
= -55
°
C To +125
°
C)
AC CHARACTERISTICS
(V
CC
= 3.3V
±
0.3V, T
A
= -55
°
C To +125
°
C)
Parameter
Symbol
-15
-17
-20
-25
Units
Write Cycle
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Write Cycle Time
t
WC
15
17
20
25
ns
Chip Select to End of Write
t
CW
14
14
15
20
ns
Address Valid to End of Write
t
AW
14
15
15
20
ns
Data Valid to End of Write
t
DW
10
10
12
15
ns
Write Pulse Width
t
WP
14
14
15
20
ns
Address Setup Time
t
AS
0
0
0
0
ns
Address Hold Time
t
AH
0
0
0
0
ns
Output Active from End of Write
t
OW
1
3
3
3
3
ns
Write Enable to Output in High Z
t
WHZ
1
10
10
12
15
ns
Data Hold Time
t
DH
0
0
0
0
ns
1. This parameter is guaranteed by design but not tested.
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PDF描述 |
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