参数资料
| 型号： | X1205S8Z |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 13/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC RTC/CALENDAR/ALARM 4K 8-SOIC |
| 标准包装： | 200 |
| 类型： | 时钟/日历 |
| 特点： | 警报器，闰年 |
| 时间格式： | HH:MM:SS（12/24 小时） |
| 数据格式： | YY-MM-DD-dd |
| 接口： | I²C，2 线串口 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 电源，电池： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
20
FN8097.3
May 2, 2006
Referring to Figure 13, Vtrip applies to the “Internal
Vcc” node which powers the entire device. This means
that if Vcc is powered down and the battery voltage at
Vback is higher than the Vtrip voltage, then the entire
chip will be running from the battery. If Vback falls to
lower than Vtrip, then the chip shuts down and all out-
puts are disabled except for the oscillator and time-
keeping circuitry. The fact that the chip can be
powered from Vback is not necessarily an issue since
standby current for the RTC devices is <2A for this
mode (called “main timekeeping current” in the data
sheet). Only when the serial interface is active is there
an increase in supply current, and with Vcc powered
down, the serial interface will most likely be inactive.
One way to prevent operation in battery backup mode
above the Vtrip level is to add a diode drop (silicon
diode preferred) to the battery to insure it is below
Vtrip. This will also provide reverse leakage protection
which may be needed to get safety agency approval.
One mode that should always be avoided is the opera-
tion of the RTC device with Vback greater than both Vcc
and Vtrip (Condition 2d in Table 6). This will cause the
battery to drain quickly as serial bus communication and
non-volatile writes will require higher supplier current.
PERFORMANCE DATA
Figure 14. IBACK Performance
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
IBACK vs. Temperature
Multi-Lot Process Variation Data
Temperature °C
-40
25
60
85
I BACK
(A)
3.3V
1.8V
X1205
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCP4232-502E/MF | IC POT DGTL DUAL 5K RHEO 10DFN |
| X1228S14Z-2.7T1 | IC RTC/CAL/SUP/ALARM 4K-EE14SOIC |
| MS27473P20A35S | CONN PLUG 79POS STRAIGHT W/SCKT |
| VE-B3M-IU-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 10V 200W |
| VI-26R-MX-B1 | CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 75W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| X1205S8ZT1 | 功能描述:IC RTC/CALENDAR/ALARM 4K 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 时钟/计时 - 实时时钟 系列:- 产品培训模块:Obsolescence Mitigation Program 标准包装:1 系列:- 类型:时钟/日历 特点:警报器，闰年，SRAM 存储容量:- 时间格式:HH:MM:SS（12/24 小时） 数据格式:YY-MM-DD-dd 接口:SPI 电源电压:2 V ~ 5.5 V 电压 - 电源，电池:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-TDFN EP 包装:管件 |
| X1205V8 | 功能描述:IC RTC/CALENDAR 2-WIRE 8-TSSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 时钟/计时 - 实时时钟 系列:- 产品培训模块:Obsolescence Mitigation Program 标准包装:1 系列:- 类型:时钟/日历 特点:警报器，闰年，SRAM 存储容量:- 时间格式:HH:MM:SS（12/24 小时） 数据格式:YY-MM-DD-dd 接口:SPI 电源电压:2 V ~ 5.5 V 电压 - 电源，电池:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-TDFN EP 包装:管件 |
| X1205V8I | 功能描述:IC RTC/CALENDAR 2-WIRE 8-TSSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 时钟/计时 - 实时时钟 系列:- 产品培训模块:Obsolescence Mitigation Program 标准包装:1 系列:- 类型:时钟/日历 特点:警报器，闰年，SRAM 存储容量:- 时间格式:HH:MM:SS（12/24 小时） 数据格式:YY-MM-DD-dd 接口:SPI 电源电压:2 V ~ 5.5 V 电压 - 电源，电池:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-TDFN EP 包装:管件 |
| X1205V8IT1 | 功能描述:IC RTC/CALENDAR 2-WIRE 8-TSSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 时钟/计时 - 实时时钟 系列:- 产品培训模块:Obsolescence Mitigation Program 标准包装:1 系列:- 类型:时钟/日历 特点:警报器，闰年，SRAM 存储容量:- 时间格式:HH:MM:SS（12/24 小时） 数据格式:YY-MM-DD-dd 接口:SPI 电源电压:2 V ~ 5.5 V 电压 - 电源，电池:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-TDFN EP 包装:管件 |
| X1205V8IZ | 功能描述:IC RTC/CALENDAR 2-WIRE 8-TSSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 时钟/计时 - 实时时钟 系列:- 产品培训模块:Obsolescence Mitigation Program 标准包装:1 系列:- 类型:时钟/日历 特点:警报器，闰年，SRAM 存储容量:- 时间格式:HH:MM:SS（12/24 小时） 数据格式:YY-MM-DD-dd 接口:SPI 电源电压:2 V ~ 5.5 V 电压 - 电源，电池:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-TDFN EP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。