参数资料
型号: X9116WS8IZ-2.7
厂商: Intersil
文件页数: 5/9页
文件大小: 0K
描述: IC XDCP 16-TAP 10K CMOS 8-SOIC
标准包装: 100
系列: XDCP™
接片: 16
电阻(欧姆): 10k
电路数: 1
温度系数: 标准值 ±300 ppm/°C
存储器类型: 非易失
接口: 3 线串行(芯片选择,递增,增/减)
电源电压: 2.7 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 管件
5
FN8160.3
February 3, 2011
DC Electrical Specifications
Over recommended operating conditions unless otherwise specified. Boldface limits apply over the
operating temperature range, -40°C to +85°C or 0°C to +70°C.
SYMBOL
PARAMETER
TEST CONDITIONS
MIN
(Note 10)
TYP
(Note 7)
MAX
(Note 10) UNIT
ICC1
VCC active current (Increment)
CS = VIL, U/D = VIL or VIH and
INC = 0.4V/2.4V @ max tCYC
150
A
ICC2
VCC active current (Store) (EEPROM Store)
CS = VIH, U/D = VIL or VIH and
INC =VIH @ max tWR
400
A
ISB
Standby supply current
CS = VCC –0.3V, U/D and INC =VSS or
VCC –0.3V
5
A
ILI
CS, INC, U/D input leakage current
VIN = VSS to VCC
±10
A
VIH
CS, INC, U/D input HIGH voltage
2V
VCC + 0.5
V
VIL
CS, INC, U/D input LOW voltage
-0.5
0.8
V
CIN
CS, INC, U/D input capacitance
VCC = 5V, VIN = VSS, TA = +25°C,
f=1MHz
10
pF
NOTES:
7. Typical values are for TA = +25°C and nominal supply voltage.
Endurance and Data Retention
PARAMETER
MIN
UNIT
Minimum endurance
100,000
Data changes per bit
Data retention
100
Years
Test Circuit #1
Test Circuit #2
Circuit #3 SPICE Macro Model
Test Point
VW/RW
VH/RH
VL/RL
VS
Force
Current
VL
VW
VH/RH
VW/RW
VL/RL
Test Point
CH
CL
RW
10pF
RH
RL
RTOTAL
CW
25pF
A.C. Conditions of Test
Input pulse levels
0V to 3V
Input rise and fall times
10ns
Input reference levels
1.5V
X9116
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X9116WS8T1 功能描述:IC XDCP 16-TAP 10K CMOS 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 数据采集 - 数字电位器 系列:XDCP™ 标准包装:2,500 系列:XDCP™ 接片:256 电阻(欧姆):100k 电路数:1 温度系数:标准值 ±300 ppm/°C 存储器类型:非易失 接口:I²C(设备位址) 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 供应商设备封装:14-TSSOP 包装:带卷 (TR)
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