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参数资料
| 型号： | XN01213(XN1213) |
| 英文描述： | Composite Device - Composite Transistors |
| 中文描述： | 复合设备-复合晶体管 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 194K |
| 代理商： | XN01213(XN1213) |
1
: 2004
2
SJJ00018BJD
XN01212 (XN1212)
NPN
/
■
1
2
(
)
■
UNR2212 (UN2212) × 2
■
Ta
= 25°C
1 : Collector (Tr1)
4 : Emitter
2 : Collector (Tr2)
5 : Base (Tr1)
3 : Base (Tr2)
EIAJ : SC-74A
Mini5-G1 Package
Unit : mm
: 9K
2
Tr1
Tr2
4
1
5
3
■
Ta
= 25°C ± 3°C
)1.
JIS C 7030
2. * :2
2.90
1.9±0.1
0.16
+0.10
–0.06
2.8
+0.2 –0.3
1.1
+0.3 –0.1
1.1
0
to
0.1
+0.2 –0.1
1.50
(0.65)
0.4
±
0.2
+0.25 –0.05
(0.95) (0.95)
0.30
+0.10
–0.05
5
4
3
1
2
+0.20
–0.05
5
10
)
( )
(E
)VCBO
IC
= 10 A, I
E
= 050
V
(B
)VCEO
IC = 2 mA, IB = 050
V
(E
)
ICBO
VCB = 50 V, IE = 0
0.1
A
(B
)
ICEO
VCE
= 50 V, I
B
= 0
0.5
A
(C
)
IEBO
VEB = 6 V, IC = 0
0.2
mA
hFE
VCE = 10 V, IC = 5 mA
60
*
hFE(Small/
VCE = 10 V, IC = 5 mA
0.50
0.99
Large)
VCE(sat)
IC
= 10 mA, I
B
= 0.3 mA
0.25
V
VOH
VCC = 5 V, VB = 0.5 V, RL = 1 k
4.9
V
VOL
VCC = 5 V, VB = 2.5 V, RL = 1 k
0.2
V
R1
30%
22
+30%
k
R1 / R2
0.8
1.0
1.2
fT
VCB = 10 V, IE = 2 mA, f = 200 MHz
150
MHz
(E
)VCBO
50
V
(B
)
VCEO
50
V
IC
100
mA
PT
300
mW
Tj
150
°C
Tstg
55 +150
°C
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