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参数资料
| 型号： | XN01216(XN1216) |
| 英文描述： | Composite Device - Composite Transistors |
| 中文描述： | 复合设备-复合晶体管 |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 194K |
| 代理商： | XN01216(XN1216) |
XN01212
2
SJJ00018BJD
hFE IC
Cob VCB
IO VIN
PT Ta
IC VCE
VCE(sat) IC
VIN IO
0
160
40
120
80
0
500
200
400
100
300
P
T
(mW
)
T
a (°C)
0
012
210
48
6
40
120
80
160
I
C
(mA)
V
CE (V)
Ta
= 25°C
IB
= 1.0 mA
0.1 mA
0.2 mA
0.3 mA
0.4 mA
0.5 mA
0.6 mA
0.7 mA
0.9 mA
0.8 mA
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
V
CE(sat)
(V)
I
C (mA)
IC / IB
= 10
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
0
1
100
200
300
400
10
100
1 000
h
FE
I
C (mA)
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
0
0.1
6
5
4
3
2
1
10
100
V
CB (V)
(
)
C
ob
(pF)
f
= 1 MHz
IE
= 0
Ta
= 25°C
1
0.4
10
102
103
104
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
I
O
(
A)
V
IN (V)
VO
= 5 V
Ta
= 25°C
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
V
IN
(V)
IO (mA)
VO
= 0.2 V
Ta
= 25°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| XN0121E(XN121E) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:複合デバイス － 複合トランジスタ |
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