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参数资料
| 型号： | YA858C12R |
| 厂商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 651K |
| 代理商： | YA858C12R |
4
5
YA858C12R
http://www.fujisemi.com
FUJI Diode
1
10
100
1000
100
Surge Current Ratings (max.)
IF
S
M
P
e
ak
H
A
lf
-W
av
e
C
u
rr
e
n
t
(A
)
tTime (ms) Sinewave
10
-3
10
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10
-1
10
0
10
1
10
2
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10
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0
10
1
Rth(j-c):1.25°C/W
Transient Thermal Impedance (max.)
Tra
nsi
ent
Th
er
m
al
Im
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danc
e
(°
C
/W
)
t Time (sec)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| YA858C15R | 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| YA862C10R | 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YA862C12R | 10 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YA862C15R | 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YA865C04R | 20 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| YA858C15R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YA862C04R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Low IR Schottky barrier diode |
| YA862C06R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Low IR Schottky barrier diode |
| YA862C08R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YA862C10R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Low IR Schottky barrier diode |
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