- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录54532 > YA868C08R (FUJI ELECTRIC CO LTD) 30 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | YA868C08R |
| 厂商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 30 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | PLASTIC, TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 585K |
| 代理商： | YA868C08R |
2
3
YA868C08R
http://www.fujisemi.com
FUJI Diode
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Reverse Power Dissipation (max.)
α=180°
DC
Ｐ
Ｒ
R
ev
e
rs
e
Po
we
r
Di
ss
ip
a
ti
on
（
Ｗ
）
ＶＲ
Reverse Voltage
（Ｖ）
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
Per 1element
DC
Square wave λ=180°
Sine wave λ=180°
Square wave λ=120°
Square wave λ=60°
Forward Power Dissipation (max.)
Ｗ
Ｆ
F
or
w
a
rd
Po
w
e
r
D
is
s
i
pa
t
i
on
（
Ｗ
）
Ｉｏ
Average Output Current
（Ａ）
0.01
0.1
1
10
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
Tj=150℃
Tj=125℃
Tj=100℃
Tj=25℃
Forward Characteristic
(typ.)
Ｉ
Ｆ
Fo
r
w
ar
d
C
ur
r
e
nt
（
Ａ
）
ＶＦ
Forward Voltage
（Ｖ）
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
Reverse Characteristic
(typ.)
Tj= 25℃
Tj=100℃
Tj=125℃
Tj=150℃
Ｉ
R
Re
v
er
se
Cu
rr
e
nt
（
μ
Ａ
）
ＶR
Reverse Voltage
（Ｖ）
λ
360°
I0
α
360°
VR
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| YA872C10R | 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YA875C10R | 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YA875C15R | 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YA985C6R | 20 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YAC512-M | SERIAL INPUT LOADING, 16-BIT DAC, PDSO16 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| YA868C10R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Low IR Schottky barrier diode |
| YA868C12R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:High Voltage Schottky barrier diode |
| YA868C15R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:High Voltage Schottky barrier diode |
| YA869C04R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YA869C06R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。