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参数资料
| 型号： | YA869C10R |
| 厂商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 555K |
| 代理商： | YA869C10R |
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YA869C10R
http://www.fujisemi.com
FUJI Diode
0
2
4
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8
10
12
14
16
18
20
22
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
Per 1element
DC
Square wave λ=180°
Sine wave λ=180°
Square wave λ=120°
Square wave λ=60°
Forward Power Dissipation (max.)
Ｗ
Ｆ
F
o
rw
ar
d
Po
we
r
D
is
si
pa
ti
on
（
Ｗ
）
Ｉｏ
Average Output Current
（Ａ）
0
20
40
60
80
100
120
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Reverse Power Dissipation (max.)
α=180°
DC
Ｐ
Ｒ
Re
ve
r
se
Po
we
r
Di
ss
ip
at
io
n
（
Ｗ
）
ＶＲ
Reverse Voltage
（Ｖ）
λ
360°
I0
α
360°
VR
0.01
0.1
1
10
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
Tj=150℃
Tj=125℃
Tj=100℃
Tj=25℃
Forward Characteristic
(typ.)
Ｉ
Ｆ
Fo
r
wa
rd
Cu
rr
e
nt
（
Ａ
）
ＶＦ
Forward Voltage
（Ｖ）
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
Reverse Characteristic
(typ.)
Tj= 25℃
Tj=100℃
Tj=125℃
Tj=150℃
Ｉ
R
Re
ve
r
se
Cu
r
re
n
t
（
u
A）
ＶR
Reverse Voltage
（Ｖ）
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| YA869C12R | 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| YA869C15R | 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| YA872C12R | 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YA872C15R | 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YA872C20R | 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| YA869C12R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YA869C15R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YA875C10R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Ultra Low IR Schottky Barrier Diode |
| YA875C15R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Ultra Low IR Schottky Barrier Diode |
| YA875C20R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Ultra Low IR Schottky Barrier Diode |
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