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参数资料
| 型号： | YG805C10R |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 20 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | SC-67, TO-220F15, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 56K |
| 代理商： | YG805C10R |
YG805C10R
(100V / 20A TO-22OF15)
Characteristics
0.1
1
10
100
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
Tj=150
o
C
Tj=125
o
C
Tj=100
o
C
Tj=25
o
C
Forward Characteristic (typ.)
VF
Forward Voltage
(V)
IF
Forward
Current
(A)
0
1020
304050607080
90
100
110
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
Reverse Characteristic (typ.)
Tj= 25
o
C
Tj=100
o
C
Tj=125
o
C
Tj=150
o
C
IR
Reverse
Current
(mA)
VR
Reverse Voltage
(V)
0
123
45678
9
10
11
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
Per 1element
DC
Square wave
λ=180
o
Sine wave
λ=180
o
Square wave
λ=120
o
Square wave
λ=60
o
Forward Power Dissipation
WF
Forward
Power
Dissipation
(W)
Io
Average Forward Current
(A)
360°
Io
λ
0
1020304050
60708090
100
110
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Reverse Power Dissipation
α =180
o
DC
PR
Reverse
Power
Dissipation
(W)
VR
Reverse Voltage
(V)
360°
VR
α
0
2
4
6
8
1012
14
161820
2224
2628
3032
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
160
λ:Conduction angle of forward current for each rectifier element
Io:Output current of center-tap full wave connection
Square wave
λ=120
o
Square wave
λ=60
o
Square wave
λ=180
o
Sine wave
λ=180
o
DC
Current Derating (Io-Tc)
Tc
Case
Temperature
(
o
C)
Io
Average Output Current (A)
VR=50V
360°
λ
Io
1
10
100
1000
10
100
1000
10000
Junction Capacitance Characteristic (typ.)
Cj
Junction
Capacitance
(pF)
VR
Reverse Voltage
(V)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| YG811S06R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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