- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录54559 > YG852C12R (FUJI ELECTRIC CO LTD) 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | YG852C12R |
| 厂商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 530K |
| 代理商： | YG852C12R |
2
3
YG852C12R
http://www.fujisemi.com
FUJI Diode
6
4
2
0
2
4
6
8
Per 1element
DC
Square wave λ=180°
Sine wave λ=180°
Square wave λ=120°
Square wave λ=60°
Forward Power Dissipation
(max.)
Ｗ
Ｆ
Fo
r
wa
rd
Po
we
r
D
is
s
ip
at
i
on
（
Ｗ
）
Ｉｏ
Average Output Current
（Ａ）
0
20
40
60
80
100
120
140
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
Reverse Power Dissipation
(max.)
α=180°
DC
Ｐ
Ｒ
R
ev
e
rs
e
P
o
we
r
D
i
s
si
p
at
i
o
n
（
Ｗ
）
ＶＲ
Reverse Voltage
（Ｖ）
λ
360°
I0
α
360°
VR
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100 110 120 130 140
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
Reverse Characteristic
(typ.)
Tj= 25℃
Tj=100℃
Tj=125℃
Tj=150℃
Ｉ
R
Re
v
e
rs
e
Cu
r
re
n
t
（
uA
）
ＶR
Reverse Voltage
（Ｖ）
0.1
1
10
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
Tj=150℃
Tj=125℃
Tj=100℃
Tj=25℃
Forward Characteristic
(typ.)
Ｉ
Ｆ
F
or
w
ar
d
C
ur
r
en
t
（
Ａ
）
ＶＦ
Forward Voltage
（Ｖ）
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| YG852C15R | 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| YG855C15R | 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| YG861S12R | 5 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| YG862C04R | 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG862C06R | 10 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| YG852C15R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YG852C15RSC-P | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| YG855C12R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YG855C15R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YG858C12R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。