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参数资料
| 型号： | YG852C15R |
| 厂商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 546K |
| 代理商： | YG852C15R |
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YG852C15R
http://www.fujisemi.com
FUJI Diode
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10
100
1000
10
100
1000
Surge Current Ratings (max.)
IF
S
M
Pe
ak
H
A
lf
-
W
av
eCu
rr
en
t
(A
)
tTime (ms) Sinewave
10
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10
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1
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2
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10
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Rth(j-c):3.5°C/W
Transient Thermal Impedance (max.)
Tr
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si
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tT
he
rm
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Im
pe
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nc
e
(°
C
/W
)
t Time (sec)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| YG855C15R | 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| YG861S12R | 5 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| YG862C04R | 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG862C06R | 10 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG862C08R | 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| YG852C15RSC-P | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
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| YG855C15R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YG858C12R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YG858C15R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
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