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参数资料
| 型号： | YG855C15R |
| 厂商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 549K |
| 代理商： | YG855C15R |
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YG855C15R
http://www.fujisemi.com
FUJI Diode
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2
4
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8
10
12
0
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4
6
8
10
12
14
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Per 1element
DC
Square wave λ=180°
Sine wave λ=180°
Square wave λ=120°
Square wave λ=60°
Forward Power Dissipation (max.)
Ｗ
Ｆ
F
or
w
a
rd
Po
w
er
D
is
s
ip
a
ti
o
n
（
Ｗ
）
Ｉｏ
Average Output Current
（Ａ）
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
1
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5
6
7
Reverse Power Dissipation (max.)
α=180°
DC
Ｐ
Ｒ
R
e
v
er
s
e
Po
w
e
r
D
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pa
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o
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（
Ｗ
）
ＶＲ
Reverse Voltage
（Ｖ）
λ
360°
I0
α
360°
VR
0.1
1
10
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
Tj=150℃
Tj=125℃
Tj=100℃
Tj=25℃
Forward Characteristic
(typ.)
Ｉ
Ｆ
F
or
w
ar
d
C
ur
r
en
t
（
Ａ
）
ＶＦ
Forward Voltage
（Ｖ）
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110 120 130 140 150 160
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-1
10
0
10
1
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3
10
4
10
5
Reverse Characteristic
(typ.)
Tj= 25℃
Tj=100℃
Tj=125℃
Tj=150℃
Ｉ
R
e
v
e
r
se
C
u
r
en
t
（
u
A
）
ＶR
Reverse Voltage
（Ｖ）
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| YG861S12R | 5 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| YG862C04R | 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG862C06R | 10 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG862C08R | 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG862C10R | 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| YG858C12R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YG858C15R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YG861S12R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:High Voltage Schottky barrier diode |
| YG861S15R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:High Voltage Schottky barrier diode |
| YG862C04R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Low IR Schottky barrier diode |
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