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参数资料
| 型号： | YG875C20R |
| 厂商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | TO-220F, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 596K |
| 代理商： | YG875C20R |
2
3
YG875C20R (200V, 20A)
http://www.fujisemi.com
FUJI Diode
360
I0
VR=100V
0
1
0
1
0
1
10
100
1000
Junction Capacitance Characteristic (max.)
C
j
Ju
nc
tio
n
C
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a
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e
(p
F
)
VR Reverse Voltage (V)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| YG906C2 | 20 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| YG981S6R | 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| YGS28 | 107.26 mm2, COPPER ALLOY, WIRE TERMINAL |
| YGS6C | WIRE TERMINAL |
| YGS8C | WIRE TERMINAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| YG878C10R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Ultra Low IR Schottky Barrier Diode |
| YG878C12R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Ultra Low IR Schottky Barrier Diode |
| YG878C15R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Ultra Low IR Schottky Barrier Diode |
| YG878C20R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Ultra Low IR Schottky Barrier Diode |
| YG881C02R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SCHOTTKY DIODE |
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