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参数资料
| 型号： | YG878C10R |
| 厂商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | TO-220F, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 587K |
| 代理商： | YG878C10R |
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YG878C10R (100V, 30A)
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http://www.fujisemi.com
FUJI Diode
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Rth(j-c):2.0°C/W
Transient Thermal Impedance (max.)
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Time (sec)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| YG878C20R | 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| YG878C12R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Ultra Low IR Schottky Barrier Diode |
| YG878C15R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Ultra Low IR Schottky Barrier Diode |
| YG878C20R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Ultra Low IR Schottky Barrier Diode |
| YG881C02R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SCHOTTKY DIODE |
| YG881C02RSC-P | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
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