参数资料
型号: YG878C12R
厂商: FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分类: 整流器
英文描述: 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封装: TO-220F, 3 PIN
文件页数: 3/5页
文件大小: 598K
代理商: YG878C12R
2
3
YG878C12R (120V, 30A)
http://www.fujisemi.com
FUJI Diode
360
I0
VR=60V
0
1
0
1
0
1
10
100
1000
Junction Capacitance Characteristic (max.)
C
j
Ju
nc
tio
n
C
ap
ac
ita
nc
e
(p
F
)
VR Reverse Voltage (V)
相关PDF资料
PDF描述
YG878C15R 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
YG878C20R 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
YG881C02R MAX 7000 CPLD 512 MC 144-TQFP
YG882C02R Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 2200uF; Voltage: 63V; Case Size: 25x35 mm; Packaging: Bulk
YG882C02R 16 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
相关代理商/技术参数
参数描述
YG878C15R 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Ultra Low IR Schottky Barrier Diode
YG878C20R 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Ultra Low IR Schottky Barrier Diode
YG881C02R 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SCHOTTKY DIODE
YG881C02RSC-P 制造商:Fuji Electric 功能描述:
YG882C02R 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODE