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参数资料
| 型号： | Z110 |
| 厂商： | RECTRON LTD |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | ADAPT FOR 844TSSOP TO 844 DIP |
| 中文描述： | 110 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | Z110 |
VOLTAGE RANGE 90 to 330 Volts CURRENT 1.0 Ampere
RECTRON
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL SPECIFICATION
FEATURES
* High reliability
* Low leakage
* Low forward voltage drop
* Excellent clamping capability
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
oC ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Z90
THRU
Z330
MAXIMUM RATINGS (At TA = 25
oC unless otherwise noted)
ZENER SILICON RECTIFIER
DO-41
Dimensions in inches and (millimeters)
MECHANICAL DATA
* Case: Molded plastic
* Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed
* Mounting position: Any
* Weight: 0.4 gram
OPERATING AND STORAGE TEMPERATURE - 55
oC to + 150oC
NOTE: Standard tolerance: +/-20%, Suffix “A” : +/-10%
2002-12
TYPE
Zener
Breakdown
Voltage
Dynamic Impedances
@
25
oC TA
Maximum Reverse
Current
@ Measurement
Voltage
and 25
oC TA
Maximum Forward
Voltage
@ 25
oC TA
@ IF = 1.0A
VZ
V
IZT
ZZT
IZK
Z ZK
VR
IR
VF
m A
Ohms
m A
Ohms
V
uA
V
Z90
Z100
Z105
Z110
Z115
Z120
Z130
Z135
90
100
105
110
115
120
130
135
2.7
2.5
2.4
2.3
2.2
2.1
1.9
1.85
250
350
400
450
500
550
700
750
.25
2000
3000
3500
4000
4250
4500
5000
5250
70
75
77
80
85
90
95
100
0.5
1.0
1.0 (25.4)
MIN.
.166 (4.2)
.205 (5.2)
1.0 (25.4)
MIN.
.107 (2.7)
.080 (2.0)
DIA.
.034 (0.9)
.028 (0.7)
DIA.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Z115 | Computers, Data logging Peripherals; |
| Z90 | ZENER SILICON RETIFIER |
| Z330 | 24 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
| Z270 | 128 x 64 pixel format, LED Backlight available |
| Z240 | 150 x 32 pixel format, LED Backlight available |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| Z110A-B | 功能描述:稳压二极管 1.0W 110V 10% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| Z110A-T | 功能描述:稳压二极管 1.0W 110V 10% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| Z110-B | 功能描述:稳压二极管 1.0W 110V 20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| Z110-T | 功能描述:稳压二极管 1.0W 110V 20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| Z1110 | 制造商:EIC 制造商全称:EIC discrete Semiconductors 功能描述:SILICON ZENER DIODES |
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