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参数资料
| 型号： | ZDT1048 |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 5 A, 17.5 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | SM-8, 8 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 180K |
| 代理商： | ZDT1048 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZDT1048TC | 5 A, 17.5 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| ZDUB10C | 7 SEG NUMERIC DISPLAY, BLUE, 10.16 mm |
| ZDVG10A2 | 7 SEG NUMERIC DISPLAY, GREEN, 10.16 mm |
| ZF1-23-02-T-WT-TR | 23 CONTACT(S), FEMALE, RIGHT ANGLE FFC/FPC CONNECTOR, SURFACE MOUNT, SOCKET |
| ZF1-23-03-T-WT-TR | 23 CONTACT(S), FEMALE, STRAIGHT FFC/FPC CONNECTOR, SURFACE MOUNT, SOCKET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZDT1048_07 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:SM-8 Dual NPN medium power high gain transistors |
| ZDT1048TA | 功能描述:两极晶体管 - BJT Dual 17.5V NPN HighG RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZDT1048TC | 功能描述:两极晶体管 - BJT Dual 17.5V NPN HighG RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZDT1049 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SM-8 DUAL NPN MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTORS |
| ZDT1049TA | 功能描述:两极晶体管 - BJT Dual 12V NPN HighG RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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