参数资料
型号: ZDT717
厂商: ZETEX PLC
元件分类: 功率晶体管
英文描述: DUAL PNP MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTORS
中文描述: 2.5 A, 12 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封装: SM-8, 8 PIN
文件页数: 1/3页
文件大小: 1953K
代理商: ZDT717
SM-8 DUAL PNP MEDIUM POWER
HIGH GAIN TRANSISTORS
ISSUE 1 - NOVEMBER 1995
PARTMARKING DETAIL T717
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
T
j
:T
stg
-12
V
Collector-Emitter Voltage
-12
V
Emitter-Base Voltage
-5
V
Peak Pulse Current
-10
A
Continuous Collector Current
-2.5
A
Operating and Storage Temperature Range
-55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Total Power Dissipation at T
amb
= 25°C*
Any single die on
Both die on equally
P
tot
2
2.5
W
W
Derate above 25°C*
Any single die on
Both die on equally
16
20
mW/ °C
mW/ °C
Thermal Resistance - Junction to Ambient*
Any single die on
Both die on equally
62.5
50
°C/ W
°C/ W
* The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner
on a PCB with copper equal to 2 inches square.
ZDT717
SM-8
(8 LEAD SOT223)
C
1
C
1
C
2
C
2
B
1
E
1
B
2
E
2
3 - 348
3 - 349
相关PDF资料
PDF描述
ZDT749 DUAL PNP MEDIUM POWER TRANSISTORS
ZDT751 DUAL PNP MEDIUM POWER TRANSISTORS
ZDT758 DUAL PNP MEDIUM POWER TRANSISTORS
ZF2UOA01AMAU Pushbutton Switches
ZF2UAOR01BMAUBC Pushbutton Switches
相关代理商/技术参数
参数描述
ZDT717TA 功能描述:两极晶体管 - BJT Dual 12V PNP HighG RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
ZDT717TC 功能描述:两极晶体管 - BJT Dual 12V PNP HighG RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
ZDT749 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:DUAL PNP MEDIUM POWER TRANSISTORS
ZDT749TA 功能描述:两极晶体管 - BJT Dual PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
ZDT749TC 功能描述:两极晶体管 - BJT Dual 25V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2