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参数资料
| 型号： | ZDT751 |
| 厂商： | ZETEX PLC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | DUAL PNP MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | 2 A, 60 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | SOT-223, 8 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 84K |
| 代理商： | ZDT751 |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-80
V
I
C
=-100
μ
A, I
E
=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-60
V
I
C
=-10mA, I
B
=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-5
V
I
E
=-100
μ
A, I
C
=0
Collector Cutoff
Current
I
CBO
-0.1
-10
μ
A
μ
A
V
CB
=-60V
V
CB
=-60V,
T
amb
=100°C
Emitter Cutoff Current
I
EBO
-0.1
μ
A
V
EB
=-4V, I
E
=0
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-0.15
-0.28
-0.3
-0.5
V
V
I
C
=1A, I
B
=-100mA*
I
C
=2A, I
B
=-200mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-0.9
-1.25
V
I
C
=1A, I
B
=-100mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
-0.8
-1
V
I
C
=-1A, V
CE
=-2V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
70
100
80
40
200
200
170
80
300
I
C
=-50mA, V
CE
=-2V*
I
C
=-500mA, V
=-2V*
I
C
=-1A, V
CE
=-2V*
I
C
=-2A, V
CE
=-2V*
Transition Frequency
f
T
100
140
MHz
I
=-100mA, V
CE
=-5V
f=100MHz
Output Capacitance
C
obo
30
pF
V
CB
=-10V f=1MHz
Switching Times
t
on
40
ns
I
C
=-500mA, V
CC
=-10V
I
B1
=I
B2
=-50mA
t
off
450
ns
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
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