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参数资料
| 型号： | ZDT758 |
| 厂商： | ZETEX PLC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | DUAL PNP MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | 0.5 A, 400 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | SM-8, 8 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | ZDT758 |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-400
V
I
C
=-100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
CEO(SUS)
-400
V
I
C
=-10mA*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-5
V
I
E
=-100
μ
A
Collector Cutoff
Current
I
CBO
-100
nA
V
CB
=-320V
Collector Cutoff
Current
I
CES
-100
nA
V
CE
=-320V
Emitter Cutoff Current
I
EBO
-100
nA
V
EB
=-4V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-0.30
-0.25
-0.50
V
V
V
I
C
=-20mA, I
B
=-1mA
I
C
=-50mA, I
B
=-5mA*
I
C
=-100mA, I
B
=-10mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-0.9
V
I
C
=-100mA, I
B
=-10mA*
Base-Emitter
Turn On Voltage
V
BE(on)
-0.9
V
I
C
=-100mA, V
CE
=-5V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
50
50
40
I
C
=-1mA, V
=-5V
I
C
=-100mA, V
CE
=-5V*
I
C
=-200mA, V
CE
=-10V*
Transition
Frequency
f
T
50
MHz
I
=-20mA, V
CE
=-20V
f=20MHz
Output Capacitance
C
obo
20
pF
V
CB
=-20V, f=1MHz
Switching times
t
on
t
off
140
2000
ns
ns
I
C
=-100mA, V
=-100V
I
B1
=10mA, I
B2
=-20mA
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
ZDT758
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