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参数资料
| 型号： | ZHCS506TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 252K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 60V 0.5A SOT23-3 |
| 产品目录绘图： | SOT-23 Foot Print |
| 其它图纸： | SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 60V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 500mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 630mV @ 500mA |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 10ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 40µA @ 45V |
| 电容@ Vr, F： | 20pF @ 25V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1471 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZHCS506DKR |
ZHCS506
Document number: DS33217 Rev. 4 - 2
2 of 5
www.diodes.com
April 2014
? Diodes Incorporated
ZHCS506
Maximum Ratings
(@TA
= +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic Symbol Value Units
Continuous Reverse Voltage
VR
60 V
Continuous Forward Current
IF
500 mA
Forward Voltage @IF =500mA VF
630 mV
Average Peak Forward Current; D.C. = 50%
IFAV
1000 mA
Non Repetitive Forward Current
t
≤
100μs
IFSM
5.5 A
t
≤
10ms
2.5 A
Thermal Characteristics
Characteristic Symbol Value Unit
Power Dissipation, TA
= +25°C P
D
330 mW
Junction Temperature
TJ
+125 °C
Storage Temperature Range
TSTG
-55 to +150 °C
Electrical Characteristics
(@TA
= +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Test Condition
Reverse Breakdown Voltage
V(BR)R
60 80 — V IR
= 200
μA
Forward Voltage (Note 5)
VF
—
275 310
550 630 mV
680 800
IF
= 50mA
—
320 360
IF
= 100mA
—
415 470
IF
= 250mA
—
IF
= 500mA
—
IF
= 750mA
—
820 960
IF
= 1A
—
1120 1350
IF
= 1.5A
—
565 —
IF
= 500mA, T
A
= +100°C
Reverse Current
IR
— 20 40 μA
VR
= 45V
Diode Capacitance
CD
— 20 — pF f = 1MHz, VR
= 25V
Reverse Recovery Time trr — 10 — ns
Switched from IF
= 500mA to
IR
= 500mA
Measured @ IR
= 50mA
Note: 5. Measured under pulsed conditions. Pulse width = 300μS. Duty cycle 2%.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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