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参数资料
| 型号： | ZTX383M1TC |
| 厂商： | ZETEX PLC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | TO-92 STYLE, E-LINE PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | ZTX383M1TC |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZTX555SM | 1000 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| ZTX557M1TC | 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| ZTX108STOA | 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| ZVP0545ASMTA | 45 mA, 450 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| ZVP3310ASM | 140 mA, 100 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZTX383STOA | 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX383STOB | 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX383STZ | 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX384 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:NPN LOW NOISE |
| ZTX3866 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 - RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
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