型号: | ZTX601Q |
厂商: | DIODES INC |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 1000 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | PLASTIC, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 |
文件页数: | 1/6页 |
文件大小: | 139K |
代理商: | ZTX601Q |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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ZTX601BL | 1000 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
ZTX601L | 1000 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
ZTX600M1 | 1000 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
ZTX754K | 1000 mA, 125 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
ZTX776M1 | 1000 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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ZTX601STOA | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
ZTX601STOB | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
ZTX601STZ | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
ZTX602 | 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
ZTX602DA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | CHIP |