- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录538 > ZVN0124ASTZ (Diodes Inc)MOSFET N-CHAN 240V TO92-3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | ZVN0124ASTZ |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 240V TO92-3 |
| 标准包装： | 2,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 240V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 160mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 欧姆 @ 250mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 85pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 带盒（TB） |
N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 1 – MARCH 94
FEATURES
* 240 Volt V DS
* R DS(on) =16 ?
APPLICATIONS
ZVN0124A
* Telephone handsets
D
G
S
E-Line
TO92 Compatible
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T amb =25°C
Pulsed Drain Current
Gate Source Voltage
Power Dissipation at T amb =25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V DS
I D
I DM
V GS
P tot
T j :T stg
VALUE
240
160
2
± 20
700
-55 to +150
UNIT
V
mA
A
V
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
MAX.
UNIT CONDITIONS.
Drain-Source Breakdown
BV DSS
240
V
I D =1mA, V GS =0V
Voltage
Gate-Source Threshold
V GS(th)
1
3
V
ID=1mA, V DS = V GS
Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain
Current
I GSS
I DSS
20
10
100
nA
μ A
μ A
V GS = ± 20V, V DS =0V
V DS =240 V, V GS =0
V DS =192 V, V GS =0V,
T=125°C (2)
On-State Drain Current(1)
I D(on)
500
mA
V DS =25 V, V GS =10V
Static Drain-Source On-State R DS(on)
16
?
V GS =10V,I D =250mA
Resistance (1)
Forward Transconductance
g fs
100
mS
V DS =25V,I D =250mA
(1)(2)
Input Capacitance (2)
C iss
85
pF
Common Source Output
C oss
20
pF
V DS =25 V, V GS =0V, f=1MHz
Capacitance (2)
Reverse Transfer
C rss
7
pF
Capacitance (2)
Turn-On Delay Time (2)(3)
t d(on)
7
ns
Rise Time (2)(3)
Turn-Off Delay Time (2)(3)
Fall Time (2)(3)
t r
t d(off)
t f
8
16
8
ns
ns
ns
V DD ≈ 25V, I D =250mA
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300 μ s. Duty cycle ≤ 2%
(2) Sample test.
3-350
(
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVN0540ASTZ | MOSFET N-CHAN 400V TO92-3 |
| ZVN0545ASTOB | MOSFET N-CHAN 450V TO92-3 |
| ZVN0545GTC | MOSFET N-CHAN 450V SOT223 |
| ZVN2106ASTOB | MOSFET N-CHAN 60V TO92-3 |
| ZVN2106GTC | MOSFET N-CHAN 60V SOT223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVN0124B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | 420MA I(D) | TO-39 |
| ZVN0124D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | CHIP |
| ZVN0124L | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | 500MA I(D) | TO-220 |
| ZVN0124Z | 功能描述:MOSFET VMOS N Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN0124ZSTOA | 功能描述:MOSFET VMOS N Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。