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参数资料
| 型号： | ZVN0540ASTOA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 400V TO92-3 |
| 标准包装： | 2,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 400V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 欧姆 @ 100mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 70pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 2 ? MARCH 94
FEATURES
* 400 Volt V DS
* R DS(on) =50 ?
ZVN0540A
G
D
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
E-Line
TO92 Compatible
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T amb =25°C
Pulsed Drain Current
Gate-Source Voltage
Power Dissipation at T amb =25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V DS
I D
I DM
V GS
P tot
T j :T stg
VALUE
400
90
600
± 20
700
-55 to +150
UNIT
V
mA
mA
V
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
MAX. UNIT CONDITIONS.
Drain-Source Breakdown
Voltage
BV DSS
400
V
I D =1mA, V GS =0V
Gate-Source Threshold
Voltage
V GS(th)
1
3
V
ID=1mA, V DS = V GS
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain
Current
On-State Drain Current(1)
Static Drain-Source On-State
Resistance (1)
I GSS
I DSS
I D(on)
R DS(on)
150
20
10
400
50
nA
μ A
μ A
mA
?
V GS = ± 20V, V DS =0V
V DS =400 V, V GS =0
V DS =320 V, V GS =0V,
T=125°C (2)
V DS =25 V, V GS =10V
V GS =10V,I D =100mA
Forward Transconductance(1)(2 g fs
)
100
mS
V DS =25V,I D =100mA
Input Capacitance (2)
C iss
70
pF
Common Source Output
Capacitance (2)
C oss
10
pF
V DS =25 V, V GS =0V, f=1MHz
Reverse Transfer Capacitance C rss
(2)
4
pF
Turn-On Delay Time (2)(3)
t d(on)
7
ns
Rise Time (2)(3)
Turn-Off Delay Time (2)(3)
Fall Time (2)(3)
t r
t d(off)
t f
7
16
10
ns
ns
ns
V DD ≈ 25V, I D =100mA
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(
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