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参数资料
| 型号： | ZVN0545GTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 450V 140MA SOT223 |
| 其它图纸： | SOT-223 SOT-223 Footprint |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 450V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 140mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 欧姆 @ 100mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 70pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1475 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZVN0545GDKR |
SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ZVN0545G
ISSUE 3 - DECEMBER 1995
FEATURES
* 450 Volts V DS
* R DS(on) = 50 ?
7
D
* Ease of paralleling
S
PARTMARKING DETAIL – ZVN0545
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
G
D
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T amb =25°C
Pulsed Drain Current
Gate-Source Voltage
Power Dissipation at T amb =25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V DS
I D
I DM
V GS
P tot
T j :T stg
VALUE
450
140
600
± 20
2
-55 to +150
UNIT
V
mA
mA
V
W
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
MAX. UNIT CONDITIONS.
Drain-Source Breakdown
BV DSS
450
V
I D =1mA, V GS =0V
Voltage
Gate-Source Threshold
V GS(th)
1
3
V
I D =1mA, V DS = V GS
Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain
Current
I GSS
I DSS
20
10
400
nA
μ A
μ A
V GS = ± 20V, V DS =0V
V DS =450 V, V GS =0
V DS =405 V, V GS =0V,
T=125°C (2)
On-State Drain Current(1)
Static Drain-Source On-State
I D(on)
R DS(on)
150
50
mA
?
V DS =25 V, V GS =10V
V GS =10V,I D =100mA
Resistance (1)
Forward
g fs
100
mS
V DS =25V,I D =100mA
Transconductance(1)(2)
Input Capacitance (2)
C iss
70
pF
Common Source Output
C oss
10
pF
V DS =25 V, V GS =0V, f=1MHz
Capacitance (2)
Reverse Transfer Capacitance
C rss
4
pF
(2)
Turn-On Delay Time (2)(3)
t d(on)
7
ns
Rise Time (2)(3)
Turn-Off Delay Time (2)(3)
Fall Time (2)(3)
t r
t d(off)
t f
7
16
10
ns
ns
ns
V DD ≈ 25V, I D =100mA
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300 μ s. Duty cycle ≤ 2% (2) Sample test.
(3) Switching times measured with 50 ? source impedance and <5ns rise time on a pulse generator
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参数描述 |
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