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参数资料
| 型号： | ZVN2106A |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3 |
| 其它图纸： | TO-92 TO-92 Pin Out TO-92 Front TO-92 Side |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 450mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 75pF @ 18V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
ZVN2106A
TYPICAL CHARACTERISTICS
4
3
V GS=
10V
9V
8V
7V
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
2
1
0
6V
5V
4V
3V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
I D=
1A
0.5A
0.25A
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
V DS - Drain Source Voltage (Volts)
Saturation Characteristics
V GS- Gate Source Voltage (Volts)
Voltage Saturation Characteristics
4
V DS=
10
10V
3
2
1
I D=
1A
0.5A
0.25A
1
0
0.1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1
2
3
4
5 6 7 8 9 10
20
2.4
V GS- Gate Source Voltage (Volts)
Transfer Characteristics
0.7
V GS -Gate Source Voltage (Volts)
On-resistance v gate-source voltage
ain
So
on
ce
ist
es
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
Dr
-
ur
ce
R V GS= 10V
an
)
S(
R D
I D= 1A
V GS= V DS
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
V DS= 10V
Gate Thresh old
0.8
0.6
0.4
-80 -60 -40 -20
I D= 1mA
Voltage V GS (th )
0 20 40 60 80 100 120 140 160
0.1
0
0
1
2
3
4
5
T j -Junction Temperature (C°)
Normalised R DS(on) and V GS(th) vs Temperature
3-362
I D - Drain Current (Amps )
Transconductance v drain current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EFG13C | MODULE DIODE 125A 240VAC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVN2106A | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N E-LINE |
| ZVN2106AM1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 450MA I(D) | SO |
| ZVN2106ASTOA | 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN2106ASTOB | 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN2106ASTZ | 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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