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参数资料
| 型号： | ZVN2106ASTZ |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 60V TO92-3 |
| 标准包装： | 2,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 450mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 75pF @ 18V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 2 – MARCH 94
FEATURES
* 60 Volt V DS
* R DS(on) =2 ?
ZVN2106A
D
G
S
E-Line
TO92 Compatible
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T amb =25°C
Pulsed Drain Current
Gate Source Voltage
Power Dissipation at T amb =25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V DS
I D
I DM
V GS
P tot
T j :T stg
VALUE
60
450
8
± 20
700
-55 to +150
UNIT
V
mA
A
V
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
MAX. UNIT CONDITIONS.
Drain-Source Breakdown
BV DSS
60
V
I D =1mA, V GS =0V
Voltage
Gate-Source Threshold
V GS(th)
0.8
2.4
V
ID=1mA, V DS = V GS
Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain
Current
I GSS
I DSS
20
500
100
nA
nA
μ A
V GS = ± 20V, V DS =0V
V DS =60 V, V GS =0
V DS =48 V, V GS =0V,
T=125°C (2)
On-State Drain Current(1)
Static Drain-Source On-State
I D(on)
R DS(on)
2
2
A
?
V DS =18V, V GS =10V
V GS =10V,I D =1A
Resistance (1)
Forward Transconductance
g fs
300
mS
V DS =18V,I D =1A
(1)(2)
Input Capacitance (2)
C iss
75
pF
Common Source Output
C oss
45
pF
V DS =18 V, V GS =0V, f=1MHz
Capacitance (2)
Reverse Transfer Capacitance
C rss
20
pF
(2)
3-361
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-HC735-19.44 | OSC 19.44 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| 445A33C30M00000 | CRYSTAL 30.00000 MHZ 16PF SMD |
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| 445A2XE27M00000 | CRYSTAL 27.00000 MHZ 20PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVN2106B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 1.2A I(D) | TO-39 |
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