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参数资料
| 型号： | ZVN2110A |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3 |
| 其它图纸： | TO-92 TO-92 Pin Out TO-92 Front TO-92 Side |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 320mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 欧姆 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 75pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
ZVN2110A
TYPICAL CHARACTERISTICS
500
400
500
400
300
200
100
0
V DS= 25V
300
200
100
0
V DS= 25V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
2
4
6
8
10
I D(on) - Drain Current (Amps )
Transconductance v drain current
V GS -Gate Source Voltage (Volts)
Transconductance v gate-source voltage
16
100
14
I D= 1A
80
12
V DS =
60
40
C iss
10
8
6
20V
50V
80V
4
20
C oss
C rss
2
0
0
10
20
30
40
50
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4
V DS -Drain Source Voltage (Volts)
Capacitance v drain-source voltage
Q-Charge (nC)
Gate charge v gate-source voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTCBA-C1-EN2-N2 | ROUTER WIRELESS DUAL CDMA |
| MTCMR-C1-N3-NAM | MODEM CELLULAR DUAL CDMA |
| MTCMR-C1-N2-NAM | MODEM CELLULAR DUAL CDMA |
| EFE15C | MODULE DIODE 100A 240VAC |
| MTCBA-G-EN-F4 | MODEM GSM/GPRS QUAD ETHERNET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVN2110A | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N E-LINE |
| ZVN2110AM1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 320MA I(D) | SO |
| ZVN2110ASTOA | 功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN2110ASTOB | 功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN2110ASTZ | 功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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