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参数资料
| 型号： | ZVN2120DC |
| 元件分类： | TVS-瞬态抑制二极管 |
| 英文描述： | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 200伏五（巴西）决策支持系统|芯片 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 61K |
| 代理商： | ZVN2120DC |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVN0124D | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| VN10LM | N CHANNEL ENHANCEMENT MODE D MOS POWER FETS |
| VN10LM | N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistors |
| VN1110N1 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
| VN1110N2 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVN2120G | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-223 |
| ZVN2120GTA | 功能描述:MOSFET N-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN2120GTC | 功能描述:MOSFET N-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN2120L | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 270MA I(D) | TO-220 |
| ZVN2120Z | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 270MA I(D) | SOT-89 |
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