型号: | ZVN3306DWP |
厂商: | DIODES INC |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
封装: | 0.030 X 0.030 INCH, G21, DIE-2 |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 32K |
代理商: | ZVN3306DWP |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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ZVP0535DWP | 350 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
ZVN4106FTC | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
ZVP0120B | 250 mA, 200 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-39 |
ZVP1320FTC | 35 mA, 200 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
ZVP3306FTC | 90 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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ZVN3306E | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 850MA I(D) | DIP |
ZVN3306F | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N, SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 60V, 150mA SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:150mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.4V ;RoHS Compliant: Yes |
ZVN3306FTA | 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
ZVN3306FTA-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:ZVN3306F Series 60 V 5 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET- SOT-23 |
ZVN3306FTC | 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |