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参数资料
| 型号： | ZVN4106FTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3 |
| 其它图纸： | SOT-23 SOT-23 Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 35pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 330mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZVN4106FDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZVN4106F
Electrical Characteristics (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 7)
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current T J = +25°C
Gate-Source Leakage
On-State Drain Current
BV DSS
I DSS
I GSS
I D(on)
60
—
—
1
—
—
—
—
—
10
50
100
-
V
μA
nA
A
V GS = 0V, I D = 10mA
V DS = 60V, V GS = 0V
V DS = 48V, V GS = 0V, T A = +125°C
V GS = ±20V, V DS = 0V
V GS = 10V, V DS = 15V
ON CHARACTERISTICS (Note 7)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transconductance
V GS(th)
R DS (on)
g fs
1.3
—
150
—
—
—
3
2.5
5
-
V
Ω
mS
V DS = V GS , I D = 1mA
V GS = 10V, I D = 500mA
V GS = 5V, I D = 200mA
V DS = 25V, I D = 250mA
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note 7)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
C iss
C oss
C rss
t D(on)
t r
t D(off)
t f
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
35
25
8
5
7
6
8
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V DS = 25V, V GS = 0V,
f = 1.0MHz
V DS = 25V, I D = 150mA
Notes:
7. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
ZVN4106F
Document number: DS33360 Rev. 3 - 2
3 of 6
www.diodes.com
July 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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