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参数资料
| 型号： | ZVN4206AVSTZ |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 60V TO92-3 |
| 标准包装： | 2,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 600mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1 欧姆 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZVN4206AV
TYPICAL CHARACTERISTICS
1000
900
800
700
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
V DS= 10V
600
500
400
300
200
100
0
V DS= 10V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I D - Drain Current (Amps )
Transconductance v drain current
V GS -Gate Source Voltage (Volts)
Transconductance v gate-source voltage
V DS =
200
160
120
16
14
12
10
I D= 1.5A
20V 40V 60V
8
80
C iss
6
40
C oss
4
2
0
C rss
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
V DS -Drain Source Voltage (Volts)
Capacitance v drain-source voltage
T j - Junction Temperature (°C)
Maximum repetative avalanche energy
v Junction Temperature
Q-Charge (nC)
Gate charge v gate-source voltage
T j - Junction Temperature (°C)
Maximum repetative avalanche current
v Junction Temperature
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PDF描述 |
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