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参数资料
| 型号： | ZVN4210GTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 100V SOT223 |
| 其它图纸： | SOT-223 SOT-223 Footprint |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 800mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.5 欧姆 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZVN4210GDKR |
SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 2 - NOVEMBER 1995
FEATURES
* Low R DS(on) = 1.5 ?
ZVN4210G
D
PARTMARKING DETAIL - ZVN4210
S
D
G
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T amb =25°C
Pulsed Drain Current
Gate-Source Voltage
Power Dissipation at T amb =25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V DS
I D
I DM
V GS
P tot
T j :T stg
VALUE
100
0.8
6
± 20
2
-55 to +150
UNIT
V
A
A
V
W
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
MAX. UNIT CONDITIONS.
Drain-Source Breakdown
BV DSS
100
V
I D =1mA, V GS =0V
Voltage
Gate-Source Threshold Voltage V GS(th)
0.8
2.4
V
I D =1mA, V DS = V GS
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain
Current
On-State Drain Current(1)
Static Drain-Source On-State
Resistance (1)
I GSS
I DSS
I D(on)
R DS(on)
2.5
100
10
100
1.5
1.8
nA
μ A
μ A
A
?
?
V GS = ± 20V, V DS =0V
V DS =100V, V GS =0
V DS =80V, V GS =0V, T=125°C (2)
V DS =25V, V GS =10V
V GS =10V,I D =1.5A
V GS =5V,I D =500mA
Forward Transconductance(1)(2) g fs
250
mS
V DS =25V,I D =1.5A
Input Capacitance (2)
C iss
100
pF
Common Source Output
C oss
40
pF
V DS =25V, V GS =0V, f=1MHz
Capacitance (2)
Reverse Transfer Capacitance (2) C rss
12
pF
Turn-On Delay Time (2)(3)
t d(on)
4
ns
Rise Time (2)(3)
Turn-Off Delay Time (2)(3)
Fall Time (2)(3)
t r
t d(off)
t f
8
20
30
ns
ns
ns
V DD ≈ 25V, I D =1.5A
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300 μ s. Duty cycle ≤ 2% (2) Sample test.
(3) Switching times measured with 50 ? source impedance and <5ns rise time on a pulse generator
Spice parameter data is available upon request for this device
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3704ZPBF | MOSFET N-CH 20V 67A TO-220AB |
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| SI4739-C40-GUR | IC RX FM/WB RAD RDS/RBDS 24SSOP |
| IXTP90N075T2 | MOSFET N-CH 75V 90A TO-220 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVN4210GTC | 功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4306A | 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4306A | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N LOGIC E-LINE |
| ZVN4306ASTOA | 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4306ASTOB | 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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