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参数资料
| 型号： | ZVN4306AV |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 |
| 其它图纸： | TO-92 TO-92 Pin Out TO-92 Front TO-92 Side |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 330 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 850mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 1475 (CN2011-ZH PDF) |
N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 1 – FEBRUARY 95
FEATURES
* 60 Volt V DS
* R DS(on) = 0.33 ?
* Repetitive Avalanche Rating
ZVN4306AV
APPLICATIONS
* Solenoids / relay drivers for automotive
D
G
S
* Stepper Motor Drivers
* DC-DC convertors
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
E-Line
TO92 Compatible
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T amb =25°C
Practical Continuous Drain Current at
SYMBOL
V DS
I D
I DP
VALUE
60
1.1
1.3
UNIT
V
A
A
T amb =25°C
Pulsed Drain Current
Gate Source Voltage
Power Dissipation at T amb =25°C
Practical Power Dissipation at T amb =25°C*
Avalanche Current-Repetitive
Avalanche Energy-Repetitive
Operating and Storage Temperature Range
I DM
V GS
P tot
P totp
I AR
E AR
T j :T stg
15
± 20
850
1.13
1
25
-55 to +150
A
V
mW
W
A
mJ
°C
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a P.C.B.
with copper equal to 1 inch square minimum
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CL2-10R-12 | XFRMR 115/230V 12V .83A 10VA PCB |
| DST-5-48 | XFRMR PWR 115/230V 24V 500MA |
| MTCBA-C-EN-N2-NAM | MODEM CDMA ETHERNET US SPRINT |
| MTCBA-C-EN-N2 | MODEM CDMA ETHERNET DC SPRINT |
| MTCBA-C-EN-N14-NAM | MODEM CDMA ETHERNET US ALLTEL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVN4306AVSTOA | 功能描述:MOSFET Avalanche RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4306AVSTOB | 功能描述:MOSFET Avalanche RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4306AVSTZ | 功能描述:MOSFET Avalanche RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4306G | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
| ZVN4306G(3) | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述: |
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