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参数资料
| 型号： | ZVN4306AVSTZ |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 60V TO92-3 |
| 标准包装： | 2,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 330 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 850mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 带盒（TB） |
ZVN4306AV
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
TYP.
MAX. UNIT CONDITIONS.
Drain-Source
BV DSS
60
V
I D =1mA, V GS =0V
Breakdown Voltage
Gate-Source
V GS(th)
1.3
3
V
I D =1mA, V DS = V GS
Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage
Drain Current
On-State Drain
I GSS
I DSS
I D(on)
12
100
10
100
nA
μ A
μ A
A
V GS = ± 20V, V DS =0V
V DS =60V, V GS =0
V DS =48V, V GS =0V, T=125°C (2)
V DS =10V, V GS =10V
Current(1)
Static Drain-Source
On-State Resistance
R DS(on)
0.22
0.32
0.33
0.45
?
?
V GS =10V,I D =3A
V GS =5V, I D =1.5A
(1)
Forward
g fs
700
mS
V DS =25V,I D =3A
Transconductance
(1)(2)
Input Capacitance (2)
C iss
350
pF
Common Source
C oss
140
pF
V DS =25 V, V GS =0V, f=1MHz
Output Capacitance (2)
Reverse Transfer
C rss
30
pF
Capacitance (2)
Turn-On Delay Time
t d(on)
8
ns
(2)(3)
V DD ≈ 25V, V GEN =10V, I D =3A
Rise Time (2)(3)
Turn-Off Delay Time
t r
t d(off)
25
30
ns
ns
(2)(3)
Fall Time (2)(3)
t f
16
ns
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300 μ s. Duty cycle ≤ 2%
(2) Sample test.
(3) Switching times measured with 50 ? source impedance and <5ns rise time on a pulse generator
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVN4306GTC | MOSFET N-CHAN 60V SOT223 |
| ZVN4306GVTC | MOSFET N-CHAN 60V SOT223 |
| ZVN4310ASTZ | MOSFET N-CHAN 100V TO92-3 |
| ZVN4310GTC | MOSFET N-CHAN 100V SOT223 |
| ZVN4424ASTOB | MOSFET N-CHAN 240V TO92-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVN4306G | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
| ZVN4306G(3) | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述: |
| ZVN4306GTA | 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4306GTC | 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4306GV | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
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