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参数资料
| 型号： | ZVN4306GTC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 60V SOT223 |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 330 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZVN4306G
TYPICAL CHARACTERISTICS
V GS=
12
20V 12V 10V 9V 8V
10
V GS =3V
3.5V
5V 6V
11
10
9
8
7
7V
6V
6
5
4
5V
1.0
8V
10V
3
2
1
0
4V
3.5V
3V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.1
0.1
1
10
100
2.6
V DS - Drain Source Voltage (Volts)
Saturation Characteristics
I D- Drain Current (Amps)
On-resistance v drain current
2.4
V GS= 10V
5
eR
ou
ain
ist
n)
DS
eR
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
Dr
-S
rc
es
a
nc
(o
I D= 3A
V GS= V DS
I D= 1mA
4
3
2
1
V DS= 10V
0.8
0.6
-50 -25
Gate Threshold Voltage V GS(TH)
0 25 50 75 100 125 150 175 200 225
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
T j -Junction Temperature (°C)
Normalised R DS(on) and V GS(th) v Temperature
I D(on) - Drain Current (Amps )
Transconductance v drain current
V DD =
500
16
20V
40V
400
300
14
12
10
8
I D= 3A
60V
200
100
0
C iss
C oss
C rss
6
4
2
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
0 1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12
V DS -Drain Source Voltage (Volts)
Capacitance v drain-source voltage
3 - 412
Q-Charge (nC)
Gate charge v gate-source voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVN4306GVTC | MOSFET N-CHAN 60V SOT223 |
| ZVN4310ASTZ | MOSFET N-CHAN 100V TO92-3 |
| ZVN4310GTC | MOSFET N-CHAN 100V SOT223 |
| ZVN4424ASTOB | MOSFET N-CHAN 240V TO92-3 |
| ZVN4424GTC | MOSFET N-CHAN 240V SOT223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| ZVN4310A | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N LOGIC E-LINE |
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