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参数资料
| 型号： | ZVN4424GTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 240V 500MA SOT223 |
| 其它图纸： | SOT-223 SOT-223 Footprint |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 240V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 500mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.8V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1475 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZVN4424GDKR |
ZVN4424G
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
TYP
MAX. UNIT
CONDITIONS.
Drain-Source Breakdown
BV DSS
240
V
I D =1mA, V GS =0V
Voltage
Gate-Source Threshold
V GS(th)
0.8
1.3
1.8
V
I D =1mA, V DS = V GS
Voltage
Gate-Body Leakage
I GSS
100
nA
V GS = ± 40V, V DS =0V
On State Drain-Current
Zero Gate Voltage Drain
Current
I D(on)
I DSS
0.8
1.4
10
100
A
μ A
μ A
V DS =10V, V GS =10V
V DS =240 V, V GS =0V
V DS =190 V, V GS =0V, T=125°C
Static Drain-Source
On-State Resistance
R DS(on)
4
4.3
5.5
6
?
?
V GS =10V,I D =500mA*
V GS =2.5V,I D =100mA*
Forward
g fs
0.4
0.75
S
V DS =10V,I D =0.5A
Transconductance (1) (2)
Input Capacitance (2)
C iss
110
200
pF
Common Source Output
Capacitance (2)
Reverse Transfer
C oss
C rss
15
3.5
25
15
pF
pF
V DS =25V, V GS =0V, f=1MHz
Capacitance (2)
Turn-On Delay Time (2)(3)
t d(on)
2.5
5
ns
Rise Time (2)(3)
Turn-Off Delay Time (2)(3)
Fall Time (2)(3)
t r
t d(off)
t f
5
40
16
8
60
25
ns
ns
ns
V DD ≈ 50V, I D =0.25A, V GEN =10V
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300 μ s. Duty cycle ≤ 2%
(2) Sample test.
(3) Switching times measured with 50 ? source impedance and <5ns rise time on a pulse generator
Spice parameter data is available upon request for this device
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
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| ZVN4525E6 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:250V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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