参数资料
型号: ZVN4424GTC
厂商: Diodes Inc
文件页数: 3/4页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CHAN 240V SOT223
标准包装: 4,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 240V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 500mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5.5 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.8V @ 1mA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 200pF @ 25V
功率 - 最大: 2.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装: SOT-223
包装: 带卷 (TR)
ZVN4424G
TYPICAL CHARACTERISTICS
1.6
1.4
1.2
1.0
300 μ s Pulsed Test
V GS =10V
5V
4V
1.6
1.4
1.2
1.0
3V
0.8
0.8
300 μ s Pulsed Test
0.6
0.4
0.2
0
2.5V
2V
0.6
0.4
0.2
0
V DS =10V
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
800
600
V DS - Drain Source Voltage (Volts)
Saturation Characteristics
800
600
V GS - Gate Source Voltage (Volts)
Transfer Characteristics
400
300 μ s Pulsed Test
400
300 μ s Pulsed Test
V DS =10V
200
0
V DS =10Vz
200
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
I D - Drain Current (Amps )
Transconductance v drain current
V GS -Gate Source Voltage (Volts)
Transconductance v gate-source voltage
100
V GS =2V
2.5V
3V
2.4
2.0
1.6
V GS= 10V
I D =0.5A
10
10V
1.2
0.8
1.0
300 μ s Pulsed Test
0.4
0
V GS= V DS
I D= 1mA
0.01
0.1
1.0
10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D- Drain Current (Amps)
On-resistance vs Drain Current
Junction Temperature (°C)
Normalised R DS(on) and V GS(th) vs Temperature
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