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参数资料
| 型号： | ZVN4525E6TC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 250V SOT23-6 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 230mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.8V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.65nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 72pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZVN4525E6
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate Source Voltage
Continuous Drain Current (V GS =10V; TA=25°C)(a)
(V GS =10V; TA=70°C)(a)
Pulsed Drain Current (c)
Continuous Source Current (Body Diode)
Pulsed Source Current (Body Diode)
Power Dissipation at T A =25°C (a)
Linear Derating Factor
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V DSS
V GS
I D
I D
I DM
I S
I SM
P D
T j : T stg
LIMIT
250
± 40
230
183
1.44
1.1
1.44
1.1
8.8
-55 to +150
UNIT
V
V
mA
mA
A
A
A
W
mW/°C
°C
THERMAL RESISTANCE
PARAMETER
Junction to Ambient (a)
Junction to Ambient (b)
SYMBOL
R θ JA
R θ JA
VALUE
113
65
UNIT
°C/W
°C/W
NOTES
(a) For a device surface mounted on 25mm x 25mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper,
in still air conditions
(b) For a device surface mounted on FR4 PCB measured at t 5 secs.
(c) Repetitive rating - pulse width limited by maximum junction temperature. Refer to Transient Thermal
NB High Voltage Applications
For high voltage applications, the appropriate industry sector guidelines should be considered with regard to
voltage spacing between conductors.
ISSUE 1 - MARCH 2001
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| ZVN4525GTA | 功能描述:MOSFET N-Chnl 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| ZVN4525Z | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:250V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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