参数资料
型号: ZVN4525GTC
厂商: Diodes Inc
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描述: MOSFET N-CHAN 250V SOT223
标准包装: 4,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 310mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8.5 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.8V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 3.65nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 72pF @ 25V
功率 - 最大: 2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装: SOT-223
包装: 带卷 (TR)
ZVN4525G
CHARACTERISTICS
Basic Gate Charge Waveform
Switching Time Waveforms
ISSUE 1 - MARCH 2001
7
Gate Charge Test Circuit
Switching Time Test Circuit
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PDF描述
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