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参数资料
| 型号： | ZVNL110ASTZ |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 100V TO92-3 |
| 其它图纸： | TO-92 TO-92 Pin Out TO-92 Front TO-92 Side |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 320mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 75pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 产品目录页面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZVNL110ASCT |
N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 2 – MARCH 94
FEATURES
* 100 Volt V DS
* R DS(on) =3 ?
* Low threshold voltage
ZVNL110A
D
G
S
E-Line
TO92 Compatible
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T amb =25°C
Pulsed Drain Current
Gate Source Voltage
Power Dissipation at T amb =25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V DS
I D
I DM
V GS
P tot
T j :T stg
VALUE
100
320
6
± 20
700
-55 to +150
UNIT
V
mA
A
V
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
MAX. UNIT CONDITIONS.
Drain-Source Breakdown
BV DSS
100
V
I D =1mA, V GS =0V
Voltage
Gate-Source Threshold
V GS(th)
0.75
1.5
V
ID=1mA, V DS = V GS
Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain
Current
I GSS
I DSS
100
10
500
nA
μ A
μ A
V GS = ± 20V, V DS =0V
V DS =100 V, V GS =0
V DS =80 V, V GS =0V, T=125°C
(2)
On-State Drain Current(1)
Static Drain-Source On-State
Resistance (1)
Forward Transconductance
I D(on)
R DS(on)
g fs
750
225
4.5
3.0
mA
?
?
mS
V DS =25 V, V GS =5V
V GS =5V,I D =250mA
V GS =10V, I D =500mA
V DS =25V,I D =500mA
(1)(2)
Input Capacitance (2)
C iss
75
pF
Common Source Output
C oss
25
pF
V DS =25 V, V GS =0V, f=1MHz
Capacitance (2)
Reverse Transfer Capacitance
C rss
8
pF
(2)
Turn-On Delay Time (2)(3)
t d(on)
7
ns
Rise Time (2)(3)
Turn-Off Delay Time (2)(3)
Fall Time (2)(3)
t r
t d(off)
t f
12
15
13
ns
ns
ns
V DD ≈ 25V, V GS =10V, I D =1A
3-400
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1.0 X 1.0 X 0.25 | SHIELD RF STD 1 X 1 X .25" |
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| 0.5 X 1.0 X 0.25 | SHIELD RF STD .5 X 1 X .25" |
| ZVP4525GTA | MOSFET P-CH 250V 265MA SOT223 |
| ZXMN10B08E6TA | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVNL110G | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD VERTICAL DMOS FET |
| ZVNL110GTA | 功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVNL110GTA-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:ZVNL110G 100 V 4.5 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET - SOT-223 |
| ZVNL110GTC | 功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVNL120A | 功能描述:MOSFET N-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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