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参数资料
| 型号： | ZVP0545GTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 450V 75MA SOT223 |
| 其它图纸： | SOT-223 SOT-223 Footprint |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 450V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 欧姆 @ 50mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 120pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1475 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZVP0545GDKR |
SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 1 – MARCH 98
FEATURES
* 450 Volt V DS
* R DS(on) =150 ?
ZVP0545G
D
S
D
G
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T amb =25°C
Pulsed Drain Current
Gate Source Voltage
Power Dissipation at T amb =25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V DS
I D
I DM
V GS
P tot
T j :T stg
VALUE
-450
-75
-400
± 20
2
-55 to +150
UNIT
V
mA
mA
V
W
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
MAX. UNIT CONDITIONS.
Drain-Source Breakdown
BV DSS
-450
V
I D =-1mA, V GS =0V
Voltage
Gate-Source Threshold
V GS(th)
-1.5
-4.5
V
I D =-1mA, V DS = V GS
Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain
Current
I GSS
I DSS
20
-20
-2
nA
μ A
mA
V GS = ± 20V, V DS =0V
V DS =-450 V, V GS =0
V DS =-360 V, V GS =0V,
T=125°C (2)
On-State Drain Current(1)
Static Drain-Source
I D(on)
R DS(on)
-100
150
mA
?
V DS =-25 V, V GS =-10V
V GS =-10V,I D =-50mA
On-State Resistance (1)
Forward Transconductance
g fs
40
mS
V DS =-25V,I D =-50mA
(1)(2)
Input Capacitance (2)
C iss
120
pF
Common Source Output
C oss
20
pF
V DS =-25 V, V GS =0V, f=1MHz
Capacitance (2)
Reverse Transfer
C rss
5
pF
Capacitance (2)
Turn-On Delay Time (2)(3)
t d(on)
10
ns
Rise Time (2)(3)
Turn-Off Delay Time (2)(3)
Fall Time (2)(3)
t r
t d(off)
t f
15
15
20
ns
ns
ns
V DD ≈ -25V, I D =-50mA
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300 μ s. Duty cycle ≤ 2%
(2) Sample test.
(3) Switching times measured with 50 ? source impedance and <5ns rise time on a pulse generator
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 6033 | PROBES OSCILLOSCOPE KIT 1RED/BLK |
| MAX7042ATJ+ | IC RCVR RF LP FSK 32-TQFN-EP |
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| 0639016101 | CONDUCTOR PUNCH |
| D2VW-5-2MS | MINIATURE BASIC SWITCH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVP0545GTC | 功能描述:MOSFET P-Chnl 450V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVP0545L | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 100MA I(D) | SOT-23 |
| ZVP1320A | 功能描述:MOSFET P-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVP1320ASTOA | 功能描述:MOSFET P-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVP1320ASTOB | 功能描述:MOSFET P-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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