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参数资料
| 型号： | ZVP2106AS |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CHAN 60V TO92-3 |
| 标准包装： | 2,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 280mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 100pF @ 18V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 散装 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 2 – MARCH 94
FEATURES
* 60 Volt V DS
* R DS(on) =5 ?
ZVP2106A
D
G
S
E-Line
TO92 Compatible
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T amb =25°C
Pulsed Drain Current
Gate Source Voltage
Power Dissipation at T amb =25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V DS
I D
I DM
V GS
P tot
T j :T stg
VALUE
-60
-280
-4
± 20
700
-55 to +150
UNIT
V
mA
A
V
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
MAX. UNIT CONDITIONS.
Drain-Source Breakdown
BV DSS
-60
V
I D =-1mA, V GS =0V
Voltage
Gate-Source Threshold
V GS(th)
-1.5
-3.5
V
ID=-1mA, V DS = V GS
Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain
Current
On-State Drain Current(1)
I GSS
I DSS
I D(on)
-1
20
-0.5
-100
nA
μ A
μ A
A
V GS = ± 20V, V DS =0V
V DS =-60 V, V GS =0
V DS =-48 V, V GS =0V, T=125°C (2)
V DS =-18 V, V GS =-10V
Static Drain-Source On-State R DS(on)
5
?
V GS =-10V,I D =-500mA
Resistance (1)
Forward Transconductance
g fs
150
mS
V DS =-18V,I D =-500mA
(1)(2)
Input Capacitance (2)
C iss
100
pF
Common Source Output
C oss
60
pF
V DS =-18V, V GS =0V, f=1MHz
Capacitance (2)
Reverse Transfer
C rss
20
pF
Capacitance (2)
Turn-On Delay Time (2)(3)
t d(on)
7
ns
Rise Time (2)(3)
Turn-Off Delay Time (2)(3)
Fall Time (2)(3)
t r
t d(off)
t f
15
12
15
ns
ns
ns
V DD ≈ -18V, I D =-500mA
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300 μ s. Duty cycle ≤ 2%
(2) Sample test.
3-417
Switching times measured with 50 ? source impedance and <5ns rise time on a pulse generator
(
3
)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3386H-1-103T | TRIMMER 10K OHM 0.5W TH |
| 3386H-1-102T | TRIMMER 1K OHM 0.5W TH |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVP2106ASTOA | 功能描述:MOSFET P-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVP2106ASTOB | 功能描述:MOSFET P-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| ZVP2106B | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:P CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS FET |
| ZVP2106C | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 280MA I(D) | TO-92 |
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