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参数资料
| 型号： | ZVP2106ASTZ |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CHAN 60V TO92-3 |
| 标准包装： | 2,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 280mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 100pF @ 18V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 带盒（TB） |
P-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 2 – MARCH 94
FEATURES
* 60 Volt V DS
* R DS(on) =5 ?
ZVP2106A
D
G
S
E-Line
TO92 Compatible
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T amb =25°C
Pulsed Drain Current
Gate Source Voltage
Power Dissipation at T amb =25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V DS
I D
I DM
V GS
P tot
T j :T stg
VALUE
-60
-280
-4
± 20
700
-55 to +150
UNIT
V
mA
A
V
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
MAX. UNIT CONDITIONS.
Drain-Source Breakdown
BV DSS
-60
V
I D =-1mA, V GS =0V
Voltage
Gate-Source Threshold
V GS(th)
-1.5
-3.5
V
ID=-1mA, V DS = V GS
Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain
Current
On-State Drain Current(1)
I GSS
I DSS
I D(on)
-1
20
-0.5
-100
nA
μ A
μ A
A
V GS = ± 20V, V DS =0V
V DS =-60 V, V GS =0
V DS =-48 V, V GS =0V, T=125°C (2)
V DS =-18 V, V GS =-10V
Static Drain-Source On-State R DS(on)
5
?
V GS =-10V,I D =-500mA
Resistance (1)
Forward Transconductance
g fs
150
mS
V DS =-18V,I D =-500mA
(1)(2)
Input Capacitance (2)
C iss
100
pF
Common Source Output
C oss
60
pF
V DS =-18V, V GS =0V, f=1MHz
Capacitance (2)
Reverse Transfer
C rss
20
pF
Capacitance (2)
Turn-On Delay Time (2)(3)
t d(on)
7
ns
Rise Time (2)(3)
Turn-Off Delay Time (2)(3)
Fall Time (2)(3)
t r
t d(off)
t f
15
12
15
ns
ns
ns
V DD ≈ -18V, I D =-500mA
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300 μ s. Duty cycle ≤ 2%
(2) Sample test.
3-417
Switching times measured with 50 ? source impedance and <5ns rise time on a pulse generator
(
3
)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 445W2XE20M00000 | CRYSTAL 20.00000 MHZ 20PF SMD |
| B32529D6104K189 | FILM CAP 0.1000UF 10% 400V |
| FXO-HC735-10.24 | OSC 10.24 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| FXO-HC730R-106 | OSC 106 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| B32561J6103J | FILM CAP 10NF 5% 400V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVP2106B | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:P CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS FET |
| ZVP2106C | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 280MA I(D) | TO-92 |
| ZVP2106D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | CHIP |
| ZVP2106E | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 280MA I(D) | SOT-223 |
| ZVP2106G | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P SOT-223 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, P, SOT-223 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:P CH DMOS FET, -60V, 450mA, SOT-223; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:450mA; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-3.5V ;RoHS Compliant: Yes |
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