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参数资料
| 型号： | ZVP2110A |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 100V 230MA TO92-3 |
| 其它图纸： | TO-92 TO-92 Pin Out TO-92 Front TO-92 Side |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 230mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 欧姆 @ 375mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
ZVP2110A
TYPICAL CHARACTERISTICS
-1.6
-1.4
-1.2
V GS=
-20V
-16V
-12V
-10V
-9V
-1.6
-1.4
-1.2
V GS =
-20V
-16V
-12V
-10V
-4V
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
-8V
-7V
-6V
-5V
-4.5V
-4V
-3.5V
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
-9V
-8V
-7V
-6V
-5V
-4.5V
-4V
-3.5V
0
-10
-20
-30
-40
-50
0
-2
-4
-6
-8
-10
-8
-6
V DS - Drain Source Voltage (Volts)
Output Characteristics
-1.6
-1.4
-1.2
V DS - Drain Source Voltage (Volts)
Saturation Characteristics
-1.0
V DS=- 10V
-4
I D=
-0.8
-0.6
-2
0
-0.5A
-0.25A
-0.1A
-0.4
-0.2
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
0
-2
-4
-6
-8
-10
100
V GS- Gate Source Voltage (Volts)
Voltage Saturation Characteristics
2.6
2.4
V GS- Gate Source Voltage (Volts)
Transfer Characteristics
V GS =-4V
2.2
V GS= -10V
urc
-So
tan
(on
DS
10
-5V
-7V
-10V
-20V
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
Dr
ain
e
Re
sis
ce
R
I D= -0.375A
)
V GS= V DS
1.0
0.8
Gate Thresh old
I D= -1mA
Voltage V GS (th )
1
10
100
1000
0.6
-40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180°C
I D- Drain Current (mA)
On-resistance v drain current
Normalised R DS(on) and V GS(th) vs Temperature
3-422
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BS250P | MOSFET P-CH 45V 230MA TO92-3 |
| 241-3-36L | XFRMR PWR 115V 36VCT 0.065A LEAD |
| OTX-315-HH-CP8-MS | TRANSMITTER 315MHZ MS SERIES |
| CMD-HHCP-418 | XMITTER HANDHELD 418MHZ 8 BUTTON |
| 241-3-28L | XFRMR PWR 115V 28VCT 0.85A LEADS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVP2110AM1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 230MA I(D) | SO |
| ZVP2110ASTOA | 功能描述:MOSFET P-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVP2110ASTOB | 功能描述:MOSFET P-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVP2110ASTZ | 功能描述:MOSFET P-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVP2110B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 600MA I(D) | TO-39 |
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