参数资料
型号: ZVP2120ASTOA
厂商: Diodes Inc
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描述: MOSFET P-CHAN 200V TO92-3
标准包装: 2,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 120mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 25 欧姆 @ 150mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3.5V @ 1mA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 100pF @ 25V
功率 - 最大: 700mW
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
供应商设备封装: TO-92-3
包装: 带卷 (TR)
ZVP2120A
TYPICAL CHARACTERISTICS
200
180
200
180
160
140
V DS= -25V
160
140
120
100
80
60
40
20
0
120
100
80
60
40
20
0
V DS= -25V
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
0
-2
-4
-6
-8
-10
I D - Drain Current (Amps )
Transconductance v drain current
V GS -Gate Source Voltage (Volts)
Transconductance v gate-source voltage
0
100
-2
I D=- 0.4A
80
60
40
C iss
-4
-6
-8
-10
V DS =
-50V -100V -180V
-12
20
C oss
C rss
-14
-16
0
-10
-20
-30
-40
-50
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4
V DS -Drain Source Voltage (Volts)
Capacitance v drain-source voltage
3-427
Q-Charge (nC)
Gate charge v gate-source voltage
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PDF描述
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参数描述
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