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参数资料
| 型号： | ZVP3306ASTOB |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CHAN 60V TO92-3 |
| 标准包装： | 2,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 160mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 欧姆 @ 200mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 18V |
| 功率 - 最大： | 625mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZVP3306A
TYPICAL CHARACTERISTICS
-1.2
-1.0
-0.8
-0.6
V GS= -20V
-16V
-14V
-12V
-10V
-1.0
-0.8
-0.6
V GS =
-16V
-14V
-12V
-10V
-0.4
-0.2
-9V
-8V
-7V
-6V
-5V
-0.4
-0.2
-9V
-8V
-7V
-6V
-5V
0
-4V
0
-4.5V
0
-10
-20
-30
-40
-50
0
-2
-4
-6
-8
-10
-10
-8
V DS - Drain Source Voltage (Volts)
Output Characteristics
I D=
-1.0
-0.8
V DS - Drain Source Voltage (Volts)
Saturation Characteristics
V DS=- 10V
-6
-4
-2
0
- 400mA
-200mA
-100mA
-0.6
-0.4
-0.2
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
0
-2
-4
-6
-8
-10
100
V GS- Gate Source Voltage (Volts)
Voltage Saturation Characteristics
2.6
V GS- Gate Source Voltage (Volts)
Transfer Characteristics
V GS =-5V
-6V
-7V
2.4
2.2
V GS= -10V
I D= 0.37A
n)
DS
ce
ist
Re
ur
ain
Dr
Gate Thresh old
10
-10V
-15V
-20V
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
- So
ce
s
(o
R
an
V GS= V DS
I D= -1mA
Voltage V GS (TH)
1
-10
-100
-1000
0.6
-40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
I D- Drain Current (mA)
On-resistance vs Drain Current
Junction Temperature (°C)
Normalised R DS(on) and V GS(th) vs Temperature
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| FT4K1003 | FT ROBUST WITHOUT LCD |
| 3386H-1-203T | TRIMMER 20K OHM 0.5W TH |
| 3386H-1-202T | TRIMMER 2K OHM 0.5W TH |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVP3306ASTZ | 功能描述:MOSFET P-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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