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参数资料
| 型号： | ZVP3310ASTOA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CHAN 100V TO92-3 |
| 标准包装： | 2,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 140mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 欧姆 @ 150mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 625mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZVP3310A
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
90
100
90
80
70
V DS= -10V
80
70
60
50
40
30
20
10
0
60
50
40
30
20
10
0
V DS= -10V
0
-0.1
-0.2
-0.3 -0.4
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
0 -1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
50
I D - Drain Current (Amps )
Transconductance v drain current
V GS -Gate Source Voltage (Volts)
Transconductance v gate-source voltage
0
-2
I D=- 0.2A
40
V GS= 0V
f =1MHz
-4
V DS =
-25V
-50V
-100V
30
-6
-8
20
10
0
C iss
C oss
C rss
-10
-12
-14
-16
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
V DS -Drain Source Voltage (Volts)
Capacitance v drain-source voltage
3-434
Q-Charge (nC)
Gate charge v gate-source voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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